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在起始材料包括表面硅层,绝缘材料及衬底形成半导体结构。以形成结构中的硅绝缘体上的技术,通过注入和蚀刻。形成在SOI结构的空腔。

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形成一个半导体结构开始由一个表面材料硅层、绝缘材料总和承印物。 在表单中的结构硅绝缘体技术,植入和蚀刻。 形成空腔,SOI结构。

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向窗体中开始组成一个表面硅层、 绝缘物体和衬底材料的半导体结构。向窗体中绝缘体上硅技术,通过植入和蚀刻的结构。向窗体中 SOI 结构腔。

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形成在包括一个表面硅层数、绝缘物体和基体的原材料的一个半导体结构。由安放和蚀刻形成结构在绝缘体上硅薄膜技术。形成在SOI结构的洞。

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形成一个半导体结构在包括一个表面硅层数、绝缘物体和基体的原材料。 由安放和蚀刻形成结构在硅在绝缘体技术。 形成洞在SOI结构。
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